N-channel 100V 26.8 m鈩?standard level MOSFET in D2PAK. The **PSMN027-100BS** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. Manufactured with advanced semiconductor technology, this component offers low on-state resistance (RDS(on)) and high current-handling capabilities, making it suitable for switching and amplification tasks in demanding environments.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 100V and a continuous drain current (ID) of up to 75A, the PSMN027-100BS ensures efficient power conversion with minimal losses. Its low gate charge (Qg) and fast switching characteristics enhance performance in high-frequency circuits, reducing power dissipation and improving thermal management.  

The MOSFET features a robust TO-263 (D2PAK) package, providing excellent thermal conductivity and mechanical durability. This makes it ideal for applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies where reliability and efficiency are critical.  

Engineers value the PSMN027-100BS for its balance of performance, thermal stability, and compact form factor. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this component delivers consistent operation under varying load conditions while maintaining high efficiency. Its specifications make it a preferred choice for designers seeking a dependable power MOSFET for modern electronic systems.