IC Phoenix logo

Home ›  P  › P32 > PSMN020-150W

PSMN020-150W from PHILIPS

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

PSMN020-150W

Manufacturer: PHILIPS

N-channel TrenchMOS transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PSMN020-150W,PSMN020150W PHILIPS 33 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS transistor **Introduction to the PSMN020-150W Electronic Component**  

The PSMN020-150W is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications requiring low on-resistance and high efficiency. With a voltage rating of 150V and a continuous drain current capability of up to 20A, this component is well-suited for switching circuits in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring an advanced trench technology design, the PSMN020-150W offers exceptionally low RDS(on), minimizing conduction losses and improving thermal performance. Its robust construction ensures reliability in demanding environments, making it ideal for applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies.  

The MOSFET also includes a fast switching characteristic, which enhances efficiency in high-frequency operations. Additionally, its compact package design facilitates easy integration into space-constrained PCB layouts while maintaining excellent heat dissipation.  

Engineers and designers favor the PSMN020-150W for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in battery management systems, LED lighting, or renewable energy solutions, this component delivers consistent power handling with minimal energy loss.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper implementation within your circuit design.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PSMN020-150W ,PSMN020150W PHI 800 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS transistor The **PSMN020-150W** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications, offering a balance of efficiency, thermal performance, and reliability. With a **150V drain-source voltage (VDS)** rating and a low **on-resistance (RDS(on))**, this component minimizes power losses, making it suitable for switching circuits in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring a **20A continuous drain current (ID)**, the PSMN020-150W ensures robust operation under demanding conditions. Its advanced silicon technology enhances switching speed while maintaining thermal stability, reducing the need for extensive heat dissipation solutions. The MOSFET is housed in a **TO-220 package**, providing mechanical durability and ease of integration into various circuit designs.  

Key applications include **DC-DC converters, motor drives, and power supplies**, where efficiency and compact design are critical. Engineers favor this MOSFET for its ability to handle high currents with minimal voltage drop, contributing to energy-efficient system performance.  

The PSMN020-150W meets industry standards for quality and reliability, making it a dependable choice for modern power electronics. Its combination of high voltage tolerance, low resistance, and thermal efficiency ensures optimal performance in a wide range of electronic systems.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PSMN020-150W,PSMN020150W NXP 220 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS transistor **Introduction to the PSMN020-150W Electronic Component**  

The PSMN020-150W is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, this component is well-suited for switching and amplification in demanding circuits. Its robust construction ensures reliability in industrial, automotive, and consumer electronics, where efficiency and thermal performance are critical.  

Featuring a compact surface-mount package, the PSMN020-150W offers excellent power density, making it ideal for space-constrained designs. Its fast switching characteristics minimize power losses, enhancing overall system efficiency. Additionally, the device is engineered to withstand high-voltage conditions, providing stable operation in challenging environments.  

Key specifications include a drain-source voltage (VDS) rating of 150V and a continuous drain current (ID) of up to 20A, depending on thermal conditions. The MOSFET also incorporates advanced protection features to guard against overcurrent and overheating.  

Engineers often select the PSMN020-150W for applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies, where precision and durability are essential. Its combination of performance, efficiency, and reliability makes it a preferred choice for modern electronic designs.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips