N-channel 100V 16 m鈩?standard level MOSFET in D2PAK The **PSMN016-100BS** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications, offering a balance of efficiency, reliability, and compact design. With a drain-source voltage (VDS) rating of 100V and a continuous drain current (ID) of 160A, this component is well-suited for high-current switching tasks in industrial, automotive, and power supply systems.  

Featuring a low on-resistance (RDS(on)) of just 1.6mΩ, the PSMN016-100BS minimizes power losses, enhancing thermal performance and energy efficiency. Its robust construction ensures durability under demanding conditions, making it ideal for applications such as DC-DC converters, motor control, and battery management systems.  

The MOSFET is housed in a **TO-263-7 (D2PAK)** package, providing excellent thermal dissipation while maintaining a compact footprint. Its fast switching characteristics and low gate charge (Qg) further contribute to improved system responsiveness and reduced switching losses.  

Engineers favor the PSMN016-100BS for its ability to handle high power densities without compromising performance. Whether used in renewable energy systems or advanced automotive electronics, this MOSFET delivers consistent, high-efficiency operation, making it a reliable choice for modern power electronics designs.