PMEG2010EVManufacturer: NXP Low VF MEGA Schottky barrier diode | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PMEG2010EV | NXP | 4300 | In Stock |
Description and Introduction
Low VF MEGA Schottky barrier diode The **PMEG2010EV** is a high-performance Schottky barrier diode designed for applications requiring low forward voltage drop and minimal leakage current. As part of the PMEG series, this component is optimized for efficiency in power management, rectification, and voltage clamping circuits.  
Featuring a compact **SOD123FL** package, the PMEG2010EV is suitable for space-constrained designs while maintaining excellent thermal performance. Its Schottky technology ensures fast switching speeds, making it ideal for high-frequency applications such as DC-DC converters, reverse polarity protection, and battery-powered systems.   Key specifications include a forward voltage as low as **0.38V** (at 2A) and a maximum reverse voltage of **20V**, balancing efficiency with robust operation. The diode’s low leakage current enhances energy efficiency, particularly in portable electronics and automotive applications where power loss must be minimized.   Engineers favor the PMEG2010EV for its reliability under varying load conditions and its ability to handle surge currents effectively. Whether used in consumer electronics, industrial controls, or renewable energy systems, this diode delivers consistent performance with minimal thermal dissipation.   For designers prioritizing efficiency and compactness, the PMEG2010EV presents a dependable solution for modern power electronics. |
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Specializes in hard-to-find components chips