IC Phoenix logo

Home ›  P  › P22 > PHT11N06LT

PHT11N06LT from PHILIPS

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

PHT11N06LT

Manufacturer: PHILIPS

TrenchMOS(tm) transistor Logic level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PHT11N06LT PHILIPS 36000 In Stock

Description and Introduction

TrenchMOS(tm) transistor Logic level FET # Introduction to the PHT11N06LT Electronic Component  

The PHT11N06LT is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for efficient switching and power management applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) of up to 11A, this component is well-suited for medium-power circuits, including motor control, DC-DC converters, and load switching.  

Featuring a low on-resistance (RDS(on)) of just a few milliohms, the PHT11N06LT minimizes power losses, enhancing energy efficiency in electronic systems. Its compact surface-mount package (such as TO-252 or similar) allows for space-saving PCB designs while maintaining reliable thermal performance.  

The MOSFET is designed with fast switching characteristics, making it ideal for high-frequency applications. Additionally, its robust construction ensures durability under demanding conditions. Engineers often select the PHT11N06LT for its balance of performance, cost-effectiveness, and ease of integration into various circuit designs.  

Whether used in industrial automation, automotive electronics, or consumer devices, the PHT11N06LT offers a dependable solution for power switching needs. Its specifications and reliability make it a practical choice for designers seeking efficient power management components.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PHT11N06LT NXP 156000 In Stock

Description and Introduction

TrenchMOS(tm) transistor Logic level FET # Introduction to the PHT11N06LT Electronic Component  

The **PHT11N06LT** is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for efficient power management in various electronic applications. With a **60V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **11A**, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring a **low on-resistance (RDS(on))** of **0.06Ω**, the PHT11N06LT minimizes power losses, enhancing energy efficiency in circuits. Its **fast switching speed** makes it ideal for high-frequency applications, while the **logic-level gate drive** ensures compatibility with microcontrollers and low-voltage control circuits.  

Encased in a compact **TO-252 (DPAK)** package, the PHT11N06LT offers excellent thermal performance, allowing for effective heat dissipation in space-constrained designs. Additionally, its **avalanche energy rating** provides robustness against voltage spikes, improving reliability in demanding environments.  

Engineers and designers often choose the PHT11N06LT for its balance of performance, efficiency, and durability, making it a versatile solution for modern electronic systems.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips