Silicon Diffused Power Transistor The **PHE13007** is a high-voltage, high-speed NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in power switching applications. Designed for efficiency and reliability, this component is well-suited for use in switch-mode power supplies (SMPS), inverters, and electronic ballasts.  

With a collector-emitter voltage (V_CE) rating of up to 700V and a collector current (I_C) of 8A, the PHE13007 can handle substantial power loads while maintaining stable performance. Its fast switching speed ensures minimal energy loss, making it ideal for high-frequency circuits.  

The transistor features a low saturation voltage, which enhances energy efficiency, and a robust construction that ensures durability under demanding conditions. Additionally, its TO-220 package allows for effective heat dissipation, contributing to long-term reliability.  

Engineers and designers often choose the PHE13007 for its balance of performance, cost-effectiveness, and ease of integration into various circuit designs. Whether used in industrial equipment, consumer electronics, or lighting systems, this transistor remains a dependable choice for power management applications.  

By adhering to proper circuit design and thermal management practices, the PHE13007 can deliver consistent performance in a wide range of electronic applications.

Silicon Diffused Power Transistor The **PHE13007** is a high-voltage, high-speed NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for power switching applications. Known for its robust performance, this component is commonly used in power supplies, inverters, and electronic ballasts, where efficient switching and high voltage handling are critical.  

With a collector-emitter voltage (V_CEO) rating of **700V** and a collector current (I_C) of **8A**, the PHE13007 is suitable for medium to high-power circuits. Its fast switching speed and low saturation voltage enhance energy efficiency, making it a reliable choice for demanding applications. The transistor also features a high current gain (h_FE), ensuring effective signal amplification in switching operations.  

Encased in a TO-220 package, the PHE13007 offers excellent thermal dissipation, improving reliability under continuous operation. Designers often pair it with complementary PNP transistors or use it in half-bridge configurations for optimized performance.  

When integrating the PHE13007, proper heat sinking and drive circuitry are essential to maximize longevity and prevent thermal runaway. Its balance of voltage tolerance, current capacity, and switching efficiency makes it a versatile component in power electronics.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure compatibility with your design requirements.

Silicon Diffused Power Transistor # Introduction to the PHE13007 Electronic Component  

The PHE13007 is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in power switching and amplification applications. Designed for robustness, it features a collector-emitter voltage (V_CE) rating of up to 700V and a collector current (I_C) of 8A, making it suitable for demanding circuits such as power supplies, inverters, and electronic ballasts.  

With a high current gain (h_FE) and low saturation voltage, the PHE13007 ensures efficient switching performance while minimizing power losses. Its TO-220 package provides excellent thermal dissipation, allowing for reliable operation under high-power conditions.  

Engineers often select the PHE13007 for its durability and cost-effectiveness in medium- to high-power designs. When implementing this transistor, proper heat sinking and drive circuitry are essential to maximize performance and longevity.  

In summary, the PHE13007 is a versatile and dependable power transistor, well-suited for applications requiring high-voltage handling and efficient switching capabilities. Its specifications make it a practical choice for industrial and consumer electronics where reliability and performance are critical.

Silicon Diffused Power Transistor **Introduction to the PHE13007 Electronic Component**  

The PHE13007 is a high-voltage, high-speed switching NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for power applications. It is commonly used in switch-mode power supplies (SMPS), inverters, and electronic ballasts due to its robust performance and efficiency in high-voltage environments.  

With a collector-emitter voltage (V_CEO) rating of up to 700V and a collector current (I_C) of 8A, the PHE13007 is well-suited for demanding power conversion tasks. Its fast switching speed and low saturation voltage contribute to reduced power losses, making it a reliable choice for energy-efficient designs.  

The transistor is typically housed in a TO-220 package, providing good thermal dissipation and ease of mounting on heat sinks. Engineers often select the PHE13007 for its durability and cost-effectiveness in industrial and consumer electronics.  

When integrating the PHE13007 into circuits, proper heat management and driving conditions must be considered to ensure optimal performance and longevity. Its specifications make it a versatile component for designers working on high-voltage switching applications.