IC Phoenix logo

Home ›  P  › P21 > PHD97NQ03LT

PHD97NQ03LT from NXP/PH,NXP Semiconductors

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

PHD97NQ03LT

Manufacturer: NXP/PH

N-channel TrenchMOS logic level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PHD97NQ03LT NXP/PH 10000 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS logic level FET # Introduction to the PHD97NQ03LT Electronic Component  

The PHD97NQ03LT is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in modern electronic circuits. With its low on-resistance and fast switching capabilities, this component is well-suited for applications requiring high efficiency and minimal power loss, such as DC-DC converters, motor control, and power supply systems.  

Built with advanced semiconductor technology, the PHD97NQ03LT offers excellent thermal performance and reliability, making it a preferred choice for compact and energy-sensitive designs. Its compact package ensures easy integration into space-constrained PCB layouts while maintaining robust electrical characteristics.  

Key features of the PHD97NQ03LT include a low gate charge, which enhances switching efficiency, and a high current-handling capacity, enabling it to support demanding load conditions. Engineers and designers often select this MOSFET for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness in both industrial and consumer electronics.  

For optimal performance, proper circuit design and thermal management should be considered when implementing the PHD97NQ03LT. Its datasheet provides essential specifications, including voltage ratings, current limits, and thermal resistance, ensuring safe and efficient operation in various applications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PHD97NQ03LT NXP 1574 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS logic level FET The **PHD97NQ03LT** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in modern electronic circuits. This component is optimized for low-voltage applications, offering low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capabilities, making it ideal for switching and amplification tasks in portable devices, power supplies, and battery management systems.  

With a compact and robust package, the PHD97NQ03LT ensures reliable operation under demanding conditions while minimizing power losses. Its fast switching characteristics enhance energy efficiency, reducing heat dissipation and improving overall system performance. The MOSFET also features a low threshold voltage, enabling compatibility with low-power control circuits.  

Engineers favor the PHD97NQ03LT for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in DC-DC converters, motor control, or load switching, this component provides a dependable solution for modern power electronics. Its design adheres to industry standards, ensuring seamless integration into a wide range of applications.  

For designers seeking a high-efficiency, space-saving MOSFET, the PHD97NQ03LT represents a practical choice for optimizing power delivery in compact and energy-sensitive systems.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PHD97NQ03LT PH 6725 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS logic level FET **Introduction to the PHD97NQ03LT Electronic Component**  

The PHD97NQ03LT is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in modern electronic circuits. With a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, this component is well-suited for applications requiring minimal power loss and high-speed operation, such as DC-DC converters, motor control, and load switching.  

Featuring a compact surface-mount package, the PHD97NQ03LT is optimized for space-constrained designs while maintaining robust thermal performance. Its low gate charge ensures reduced switching losses, making it ideal for battery-powered devices where energy efficiency is critical.  

Key specifications include a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to several amperes, depending on operating conditions. The component also incorporates built-in protection features, enhancing reliability in demanding environments.  

Engineers and designers often select the PHD97NQ03LT for its balance of performance, size, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, consumer electronics, or automotive systems, this MOSFET provides a dependable solution for power switching needs.  

For detailed performance characteristics, consult the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into your circuit design.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips