IC Phoenix logo

Home ›  P  › P21 > PHB29N08T

PHB29N08T from NXP/PH,NXP Semiconductors

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

PHB29N08T

Manufacturer: NXP/PH

N-channel TrenchMOS standard level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PHB29N08T NXP/PH 10000 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS standard level FET **Introduction to the PHB29N08T Electronic Component**  

The PHB29N08T is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in various electronic applications. With a robust voltage rating of 80V and a continuous drain current of 29A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the PHB29N08T minimizes power losses, enhancing energy efficiency in circuits. Its TO-220 package ensures reliable thermal performance, making it suitable for high-power applications where heat dissipation is critical.  

Engineers favor the PHB29N08T for its durability and stable operation under demanding conditions. The component’s gate charge and threshold voltage specifications allow for precise control, ensuring smooth performance in both industrial and consumer electronics.  

Whether used in automotive systems, renewable energy solutions, or industrial automation, the PHB29N08T delivers consistent performance, making it a dependable choice for power electronics design. Its balance of efficiency, thermal management, and electrical robustness positions it as a versatile solution for modern electronic systems.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PHB29N08T NXP 355 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS standard level FET **Introduction to the PHB29N08T Electronic Component**  

The PHB29N08T is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 80V and a continuous drain current (ID) of up to 29A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring a low on-resistance (RDS(on)) of just 29mΩ, the PHB29N08T minimizes power losses, enhancing energy efficiency in high-current circuits. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal performance and ease of mounting on heat sinks for improved heat dissipation. Additionally, its fast switching characteristics contribute to reduced switching losses in high-frequency circuits.  

Engineers and designers value the PHB29N08T for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness, making it a versatile solution for modern power electronics. Whether used in inverters, battery management systems, or load switches, this component delivers consistent and efficient power handling.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips