PHB130N03LTManufacturer: NXP TrenchMOS transistor Logic level FET | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PHB130N03LT | NXP | 4800 | In Stock |
Description and Introduction
TrenchMOS transistor Logic level FET **Introduction to the PHB130N03LT Electronic Component**  
The PHB130N03LT is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in various electronic applications. With a low on-resistance (RDS(on)) and a compact package, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and battery management systems.   Featuring a 30V drain-source voltage (VDS) rating and a continuous drain current (ID) of up to 130A, the PHB130N03LT delivers robust performance while minimizing power losses. Its advanced design ensures fast switching speeds, making it ideal for high-frequency applications. Additionally, the MOSFET incorporates built-in protection features to enhance reliability under demanding conditions.   The component is housed in a thermally efficient package, optimizing heat dissipation and improving overall system longevity. Engineers favor the PHB130N03LT for its balance of power handling, efficiency, and compact form factor, making it a versatile choice for modern electronic designs.   Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, the PHB130N03LT provides a dependable solution for power conversion and control, meeting the demands of today’s energy-efficient applications. |
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| PHB130N03LT | PHI | 829 | In Stock |
Description and Introduction
TrenchMOS transistor Logic level FET **Introduction to the PHB130N03LT Electronic Component**  
The PHB130N03LT is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a low on-resistance (RDS(on)) and a compact package, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.   Featuring a 30V drain-source voltage (VDS) rating and a continuous drain current (ID) of up to 130A, the PHB130N03LT delivers robust performance in demanding conditions. Its low gate charge and fast switching characteristics contribute to reduced power losses, making it ideal for high-efficiency designs.   The MOSFET is housed in a thermally enhanced TO-263 (D2PAK) package, ensuring effective heat dissipation and reliability in high-power applications. Additionally, its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards.   Engineers and designers will appreciate the PHB130N03LT for its balance of performance, durability, and compact form factor. Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, this MOSFET provides a dependable solution for power management challenges. |
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips