PDTC123JTManufacturer: NXP NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k惟, R2 = 47 k惟 | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
PDTC123JT | NXP | 3000 | In Stock |
Description and Introduction
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k惟, R2 = 47 k惟 **Introduction to the PDTC123JT Electronic Component**  
The PDTC123JT is a high-performance NPN digital transistor designed for switching and amplification applications in electronic circuits. This surface-mount device integrates a bias resistor network, simplifying circuit design by reducing external component requirements.   With a compact SOT-23 package, the PDTC123JT is ideal for space-constrained applications such as portable electronics, IoT devices, and automotive systems. It features a low saturation voltage and high current gain, ensuring efficient operation in low-power circuits. The built-in resistors provide stable biasing, enhancing reliability and reducing design complexity.   Key specifications include a collector current (IC) rating of 100mA and a collector-emitter voltage (VCEO) of 50V, making it suitable for general-purpose switching tasks. Its robust construction ensures consistent performance across a wide temperature range, meeting industry standards for durability.   Engineers favor the PDTC123JT for its ease of integration, cost-effectiveness, and reliable performance in signal amplification and digital logic interfaces. Whether used in consumer electronics or industrial control systems, this component delivers precision and efficiency, making it a versatile choice for modern electronic designs. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
PDTC123JT | NXP/PHILIPS | 3000 | In Stock |
Description and Introduction
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k惟, R2 = 47 k惟 # Introduction to the PDTC123JT Electronic Component  
The PDTC123JT is a high-performance digital transistor designed for switching and amplification applications in electronic circuits. This surface-mount (SMD) component integrates a bias resistor network with an NPN transistor, simplifying circuit design and reducing component count.   With a compact SOT-23 package, the PDTC123JT is ideal for space-constrained applications such as portable devices, IoT modules, and automotive electronics. It features a built-in resistor divider, eliminating the need for external biasing resistors and enhancing reliability.   Key specifications include a collector current (Ic) of 100 mA, a collector-emitter voltage (Vce) of 50 V, and a power dissipation of 200 mW. The integrated resistors ensure consistent performance, making it suitable for logic-level interfacing and signal conditioning.   Common applications include load switching, LED driving, and microcontroller interfacing. Its low saturation voltage and fast switching characteristics improve efficiency in digital circuits. Engineers favor the PDTC123JT for its ease of integration and cost-effective design.   For optimal performance, designers should adhere to the manufacturer’s recommended operating conditions and thermal management guidelines. This component provides a reliable solution for modern electronic systems requiring compact, efficient transistor functionality. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips