PDTA143ZEManufacturer: NXP PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k惟, R2 = 47 k惟 | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PDTA143ZE | NXP | 399000 | In Stock |
Description and Introduction
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k惟, R2 = 47 k惟 **Introduction to the PDTA143ZE Electronic Component**  
The PDTA143ZE is a high-performance, surface-mount digital transistor designed for switching and amplification applications in modern electronic circuits. This component integrates a resistor-equipped transistor (RET) in a compact SOT-416 (SC-75) package, making it ideal for space-constrained designs.   Featuring an NPN bipolar junction transistor (BJT) with built-in bias resistors, the PDTA143ZE simplifies circuit design by reducing external component count. It offers reliable performance with a collector current (IC) rating of up to 100 mA and a collector-emitter voltage (VCEO) of 50 V, suitable for low-power applications. The integrated resistors ensure stable operation and improved noise immunity, making it well-suited for signal conditioning and logic-level switching.   Common applications include load switching, interface circuits, and driver stages in consumer electronics, industrial controls, and automotive systems. Its small footprint and robust performance make it a practical choice for designers seeking efficiency without compromising reliability.   With its combination of compact packaging, integrated biasing, and dependable electrical characteristics, the PDTA143ZE is a versatile solution for modern electronic designs requiring precise control and efficient space utilization. |
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| PDTA143ZE | PHILIPS | 240 | In Stock |
Description and Introduction
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k惟, R2 = 47 k惟 **Introduction to the PDTA143ZE Electronic Component**  
The PDTA143ZE is a high-performance, surface-mount NPN digital transistor designed for switching and amplification applications. This component integrates a resistor within the transistor base, simplifying circuit design by reducing external component count. With a compact SOT-323 package, it is ideal for space-constrained applications such as portable electronics, IoT devices, and signal processing circuits.   Key features of the PDTA143ZE include a low saturation voltage, ensuring efficient power handling, and a high current gain (hFE), which enhances signal amplification. Its built-in bias resistors improve noise immunity and stability, making it suitable for high-frequency and low-power operations.   Common applications include load switching, signal inversion, and interfacing between microcontrollers and higher-voltage circuits. Engineers favor the PDTA143ZE for its reliability, ease of integration, and consistent performance across a wide temperature range.   For optimal performance, designers should adhere to the recommended operating conditions outlined in the datasheet, including voltage and current limits. The PDTA143ZE offers a balance of efficiency and compactness, making it a versatile choice for modern electronic designs. |
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips