PBSS302NZManufacturer: NXP 20 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
PBSS302NZ | NXP | 4000 | In Stock |
Description and Introduction
20 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor **Introduction to the PBSS302NZ from NXP Semiconductors**  
The PBSS302NZ is a high-performance, low-voltage NPN transistor designed for switching and amplification applications. Manufactured by NXP Semiconductors, this component is optimized for efficiency and reliability in a compact SOT223 package, making it suitable for space-constrained designs.   With a collector current rating of 3 A and a collector-emitter voltage (VCE) of 30 V, the PBSS302NZ is well-suited for power management, motor control, and signal amplification in consumer electronics, industrial systems, and automotive applications. Its low saturation voltage ensures minimal power loss, enhancing energy efficiency in high-frequency switching circuits.   The transistor features a high current gain (hFE) and fast switching speeds, making it ideal for use in DC-DC converters, LED drivers, and other power control circuits. Its robust construction ensures thermal stability and durability under demanding operating conditions.   Engineers and designers will appreciate the PBSS302NZ for its balance of performance, compact footprint, and cost-effectiveness. Whether used in portable devices or embedded systems, this transistor delivers consistent performance while meeting modern power efficiency requirements.   For detailed specifications, refer to the official datasheet to ensure proper integration into your circuit design. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips