NTHD5904NT1GManufacturer: ON Power MOSFET 20 V, 3.1 A, N-Channel Dual ChipFET™ | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NTHD5904NT1G | ON | 2985 | In Stock |
Description and Introduction
Power MOSFET 20 V, 3.1 A, N-Channel Dual ChipFET™ The **NTHD5904NT1G** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component is part of the **Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET** series, offering low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for power supply circuits, motor control, and load switching.  
With a drain-source voltage (VDS) rating of **60 V** and continuous drain current (ID) of **5.8 A**, the NTHD5904NT1G ensures reliable operation in demanding environments. Its compact **DFN5 (2x2) package** provides excellent thermal performance while minimizing board space, making it suitable for space-constrained designs.   Key features include **low gate charge (QG)** and **low threshold voltage (VGS(th))**, which contribute to reduced power losses and improved efficiency. Additionally, the MOSFET is **RoHS compliant**, ensuring adherence to environmental regulations.   Engineers often select the NTHD5904NT1G for its balance of performance, thermal management, and compact form factor. Whether used in DC-DC converters, battery protection circuits, or industrial automation systems, this MOSFET delivers robust performance and reliability.   For detailed specifications, refer to the component’s datasheet to ensure proper integration into your design. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips