NTHD2102PT1Manufacturer: ON Trench Power MOSFET 8.0 V, 3.4 A Dual P-Channel ChipFet™ | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
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NTHD2102PT1 | ON | 27000 | In Stock |
Description and Introduction
Trench Power MOSFET 8.0 V, 3.4 A Dual P-Channel ChipFet™ # Introduction to the NTHD2102PT1 Electronic Component  
The NTHD2102PT1 is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component features low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, making it well-suited for power conversion, motor control, and load switching circuits.   Built with advanced semiconductor technology, the NTHD2102PT1 offers enhanced thermal performance and reliability, ensuring stable operation under demanding conditions. Its compact and space-saving package makes it ideal for modern, high-density PCB designs where board real estate is limited.   Key specifications of the NTHD2102PT1 include a high current-handling capacity, low gate charge, and robust ESD protection, contributing to improved efficiency and durability in power systems. Engineers often integrate this MOSFET into DC-DC converters, battery management systems, and automotive electronics due to its ability to minimize power losses and enhance overall system performance.   With its combination of efficiency, thermal management, and compact form factor, the NTHD2102PT1 is a versatile solution for designers seeking reliable power switching components in industrial, automotive, and consumer electronics applications. |
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Specializes in hard-to-find components chips