Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6 The **NTGD4161P** is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With its advanced semiconductor technology, this component offers low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching capabilities, making it ideal for power conversion, motor control, and load switching circuits.  

Featuring a compact **PowerPAK® SO-8** package, the NTGD4161P ensures excellent thermal performance while maintaining a small footprint, suitable for space-constrained designs. Its robust construction supports high current handling and voltage ratings, enhancing reliability in demanding environments.  

Key specifications include a **drain-source voltage (V_DSS)** of up to 60V and a **continuous drain current (I_D)** of several amperes, depending on operating conditions. The MOSFET also incorporates built-in protection features, such as a low gate charge (Q_G), which minimizes switching losses and improves energy efficiency.  

Engineers and designers often select the NTGD4161P for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in DC-DC converters, battery management systems, or industrial automation, this MOSFET delivers consistent operation with minimal power dissipation. Its compatibility with standard PCB assembly processes further simplifies integration into modern electronic designs.