NSB9435T1 ,High Current Bias Resistor TransistorELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)ACharacteristics Symbol Min Typ Max Uni ..
NSBA114EDXV6T1 , Dual Bias Resistor Transistors
NSBC113EDXV6T1 , Dual Bias Resistor Transistors
NSBC114EDXV6T1 , Dual Bias Resistor Transistors
NSBC114EPDXV6T1 , Dual Bias Resistor Transistors
NSBC114EPDXV6T1G , Dual Bias Resistor Transistors
OPA2333AIDRBR ,1.8V, 17?A, 2 channels, microPower, Precision, Zero Drift CMOS Op Amp 8-SON -40 to 125Maximum Ratings from "voltage" to "current" (typo). 5• Added Table 1...... 82 Submit Documentation ..
OPA2333AIDRBRG4 ,1.8V, 17?A, 2 channels, microPower, Precision, Zero Drift CMOS Op Amp 8-SON -40 to 125Features... 1 8 Application and Implementation...... 158.1 Application Information........ 152 Appl ..
OPA2333AIDRBT ,1.8V, 17?A, 2 channels, microPower, Precision, Zero Drift CMOS Op Amp 8-SON -40 to 125Table of Contents1
OPA2333AIDRBT ,1.8V, 17?A, 2 channels, microPower, Precision, Zero Drift CMOS Op Amp 8-SON -40 to 125Sample & Support & ReferenceProduct Tools &TechnicalCommunityBuy DesignFolder Documents SoftwareOPA ..
OPA2333AIDRBTG4 ,1.8V, 17?A, 2 channels, microPower, Precision, Zero Drift CMOS Op Amp 8-SON -40 to 125Features 3 DescriptionThe OPAx333 series of CMOS operational amplifiers1• Low Offset Voltage: 10μV ..
OPA2333AIDRG4 ,1.8V, 17?A, 2 channels, microPower, Precision, Zero Drift CMOS Op Amp 8-SOIC -40 to 125Features 3 DescriptionThe OPAx333 series of CMOS operational amplifiers1• Low Offset Voltage: 10μV ..
NSB9435T1
High Current Bias Resistor Transistor
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)ACharacteristics Symbol Min Typ Max UnitOFF CHARACTERISTICSÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector–Emitter Sustaining Voltage V VdcCEO(sus)(I = 10 mAdc, I = 0 Adc) 30 – –C BÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏEmitter–Base Voltage V VdcÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ EBOÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(I = 50 Adc, I = 0 Adc) 6.0 – –E CÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector Cutoff Current I μAdcCERÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(V = 25 Vdc) – – 20CE(V = 25 Vdc, T = 125°C) – – 200ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ CE JÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Emitter Cutoff CurrentÏÏÏÏÏÏÏÏ IÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ AdcEBO(V = 5.0 Vdc) – – 700BEÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏON CHARACTERISTICS (Note 1)ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector–Emitter Saturation Voltage V VdcCE(sat)ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(I = 0.8 Adc, I = 20 mAdc) – 0.155 0.210C BÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(I = 1.2 Adc, I = 20 mAdc) – – 0.275C B(I = 3.0 Adc, I = 0.3 Adc) – – 0.550C BÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏBase–Emitter Saturation Voltage V VdcBE(sat)ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(I = 3.0 Adc, I = 0.3 Adc) – – 1.25C BÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏBase–Emitter On Voltage V VdcBE(on)ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(I = 1.2 Adc, V = 4.0 Vdc) – – 1.10C CEÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏDC Current Gain h –FEÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ (I = 0.8 Adc, V = 1.0 Vdc)ÏÏÏÏÏÏÏ 125ÏÏÏ 220ÏÏÏÏ –ÏÏÏÏÏÏÏÏÏC CE(I = 1.2 Adc, V = 1.0 Vdc) 110 – –C CEÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(I = 3.0 Adc, V = 1.0 Vdc) 90 – –C CEÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏResistor R1 7.5 10 12.5 kÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏDYNAMIC CHARACTERISTICSÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏOutput Capacitance C pFobÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(V = 10 Vdc, I = 0 Adc, f = 1.0 MHz) – 100 150CB EÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏInput Capacitance C pFib(V = 8.0 Vdc) – 135 –ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏEBÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCurrent–Gain – Bandwidth Product (Note 2) f MHzT(I = 500 mA, V = 10 V, F = 1.0 MHz) – 110 –C CE testÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 μs, Duty Cycle ≤ 2%.ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ2. f = |h | fT FE test
