MTV32N25EManufacturer: MOTO N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
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MTV32N25E | MOTO | 10 | In Stock |
Description and Introduction
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate # Introduction to the MTV32N25E Electronic Component  
The MTV32N25E is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a robust voltage rating of 250V and a continuous drain current capability of 32A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control circuits, and inverters.   Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the MTV32N25E minimizes power losses, enhancing overall system efficiency. Its rugged construction ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and automotive applications where durability is critical.   The component is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal dissipation and ease of integration into circuit designs. Additionally, its gate drive requirements are compatible with standard logic levels, simplifying implementation in both analog and digital control systems.   Engineers and designers value the MTV32N25E for its balance of performance, efficiency, and reliability, making it a versatile solution for modern power electronics. Whether used in high-frequency switching or linear regulation, this MOSFET delivers consistent performance across a wide range of operating conditions. |
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Specializes in hard-to-find components chips