The MTV20N50E is a high-performance N-channel power MOSFET designed for demanding electronic applications requiring efficient power switching and robust performance. With a drain-source voltage (VDS) rating of 500V and a continuous drain current (ID) of 20A, this component is well-suited for power supplies, motor control, and industrial inverters.  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the MTV20N50E minimizes power losses, enhancing overall system efficiency. Its advanced design ensures reliable operation under high-voltage conditions while maintaining thermal stability. The MOSFET is housed in a TO-247 package, providing excellent heat dissipation and mechanical durability.  

Key specifications include a low gate charge (Qg) and a high avalanche energy rating, making it suitable for rugged environments. Engineers and designers favor the MTV20N50E for its balance of performance, efficiency, and durability in power electronics applications.  

Whether used in switch-mode power supplies (SMPS), DC-DC converters, or high-power amplification circuits, the MTV20N50E delivers consistent performance, making it a dependable choice for modern electronic systems.

The MTV20N50E is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching and power management applications. With a voltage rating of 500V and a continuous drain current of 20A, this component is well-suited for high-power circuits, including inverters, motor drives, and switch-mode power supplies (SMPS).  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the MTV20N50E minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.  

The device is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal performance and ease of mounting. Additionally, it incorporates built-in protection against overvoltage and thermal stress, enhancing durability in high-stress environments.  

Engineers and designers value the MTV20N50E for its balance of performance, efficiency, and cost-effectiveness. Whether used in power conversion, energy management, or industrial automation, this MOSFET delivers consistent performance, making it a dependable component in modern electronic systems.  

By leveraging its advanced semiconductor technology, the MTV20N50E meets the growing demand for high-efficiency power solutions in various applications.