TMOS POWER FET 50 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM # Introduction to the MTP50N06 MOSFET  

The **MTP50N06** is an N-channel **power MOSFET** designed for high-efficiency switching and amplification applications. With a **drain-source voltage (V_DS)** rating of 60V and a **continuous drain current (I_D)** of 50A, it is well-suited for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

This MOSFET features a low **on-resistance (R_DS(on))** of approximately 0.022Ω, minimizing power loss and improving thermal performance. Its fast switching characteristics make it ideal for **DC-DC converters, motor drivers, and power supplies**.  

The **MTP50N06** is housed in a **TO-220 package**, ensuring robust thermal dissipation and mechanical durability. Its **avalanche energy rating** enhances reliability in high-stress environments.  

Key specifications include:  
- **Gate threshold voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
- **Maximum power dissipation (P_D)**: 150W  
- **Operating temperature range**: -55°C to +175°C  

Engineers favor the **MTP50N06** for its balance of performance, efficiency, and cost-effectiveness in medium-to-high-power applications. Proper heat sinking and gate drive considerations are recommended for optimal operation.  

This MOSFET remains a dependable choice for designers seeking a robust switching solution in demanding electronic systems.

TMOS POWER FET 50 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM The **MTP50N06** is a robust N-channel power MOSFET designed for high-performance switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 60V and a continuous drain current (I_D) of 50A, it is well-suited for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 0.022Ω, the MTP50N06 minimizes conduction losses, improving efficiency in high-current circuits. Its fast switching capability makes it ideal for DC-DC converters, motor drivers, and power supply units. The MOSFET is housed in a TO-220 package, ensuring effective heat dissipation and mechanical durability.  

Designed with a rugged avalanche rating, the MTP50N06 offers reliable operation under transient voltage conditions. The device also includes an intrinsic body diode, providing reverse current protection in inductive load applications. Engineers favor this component for its balance of performance, thermal stability, and cost-effectiveness.  

Whether used in battery management systems, inverters, or load switches, the MTP50N06 delivers consistent power handling and efficiency, making it a versatile choice for demanding electronic designs.