MTP2P50Manufacturer: ON TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
MTP2P50 | ON | 15 | In Stock |
Description and Introduction
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM ### Introduction to the MTP2P50 Electronic Component  
The MTP2P50 is a P-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of -50V and a continuous drain current (ID) of -2A, this component is well-suited for low-power DC-DC converters, load switching, and power management circuits.   Featuring a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the MTP2P50 minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its compact TO-220 package ensures effective heat dissipation, making it reliable for various industrial and consumer electronics applications.   Key specifications include a gate threshold voltage (VGS(th)) typically around -2V to -4V, ensuring compatibility with standard logic-level drive circuits. Additionally, the device offers robust performance with built-in protection against electrostatic discharge (ESD).   Engineers often select the MTP2P50 for its balance of performance, cost-effectiveness, and ease of integration. Whether used in battery-powered devices, motor control systems, or power supply units, this MOSFET provides a dependable solution for efficient power handling.   For detailed application guidelines, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure optimal performance and reliability in your specific design. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips