MRF5S21150, MRF5S21150R3, MRF5S21150S, MRF5S21150SR3 2170 MHz, 33 W Avg., 2 x W-CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs # Introduction to the MRF5S21150 RF Power Transistor  

The MRF5S21150 is a high-performance RF power transistor designed for demanding applications in the telecommunications and industrial sectors. This component is optimized for operation in the 2110–2170 MHz frequency range, making it particularly suitable for cellular infrastructure, including base stations and repeaters.  

Built using advanced LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) technology, the MRF5S21150 delivers high power output with excellent efficiency and linearity. It is capable of providing up to 150 watts of peak power, ensuring robust signal amplification in high-power RF systems. The device features a rugged design, offering reliable performance under varying load conditions and thermal stress.  

Key specifications of the MRF5S21150 include a typical gain of 16 dB and high power-added efficiency (PAE), which helps minimize energy loss in transmission systems. Its broadband matching capabilities simplify integration into existing RF circuits, reducing the need for additional tuning components.  

The transistor is housed in a thermally enhanced package, ensuring effective heat dissipation for prolonged operational stability. This makes it well-suited for continuous-duty applications where thermal management is critical.  

Engineers and system designers will find the MRF5S21150 to be a dependable solution for high-power RF amplification, combining performance, durability, and ease of implementation in modern wireless communication systems.