MRF5S21090L MRF5S21090LR3 MRF5S21090LSR3 2170 MHz, 19 W Avg., 2 x CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs **Introduction to the MRF5S21090L RF Power Transistor**  

The MRF5S21090L is a high-performance RF power transistor designed for applications requiring robust power amplification in the UHF and L-band frequency ranges. Engineered for efficiency and reliability, this component is well-suited for use in industrial, commercial, and military communication systems, including radar, broadcast, and wireless infrastructure.  

With a frequency range extending up to 1 GHz, the MRF5S21090L delivers high power output while maintaining excellent linearity and thermal stability. Its advanced design ensures low distortion, making it ideal for applications where signal integrity is critical. The device is built using a proven gallium arsenide (GaAs) process, offering superior power density and thermal performance compared to traditional silicon-based transistors.  

Key features of the MRF5S21090L include high gain, ruggedness under load mismatch conditions, and consistent performance over a wide operating temperature range. The transistor is housed in a reliable, industry-standard package, facilitating easy integration into existing circuit designs.  

Engineers and system designers will appreciate the MRF5S21090L for its ability to enhance signal strength without compromising efficiency, making it a preferred choice for demanding RF amplification tasks. Whether used in base stations, repeaters, or specialized RF equipment, this transistor provides a dependable solution for high-power RF applications.  

For detailed specifications and application guidelines, consult the manufacturer's datasheet to ensure optimal performance in your specific design.

MRF5S21090L MRF5S21090LR3 MRF5S21090LSR3 2170 MHz, 19 W Avg., 2 x CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs # Introduction to the MRF5S21090L RF Power Transistor  

The MRF5S21090L is a high-performance RF power transistor designed for applications in the L-band frequency range. This component is engineered to deliver robust power amplification with high efficiency, making it suitable for use in radar systems, communication equipment, and industrial RF applications.  

Built using advanced semiconductor technology, the MRF5S21090L offers excellent thermal stability and reliability under demanding operating conditions. It operates within a frequency range of 960 MHz to 1215 MHz, making it particularly well-suited for aviation and defense applications, including secondary surveillance radar (SSR) and air traffic control systems.  

Key features of the MRF5S21090L include high power gain, low distortion, and superior ruggedness, ensuring consistent performance in pulsed and continuous-wave (CW) modes. Its ceramic and metal package provides effective heat dissipation, contributing to long-term durability.  

Engineers and system designers often select the MRF5S21090L for its ability to maintain signal integrity while handling high power levels. With its proven performance in critical RF applications, this transistor remains a preferred choice for professionals seeking a reliable and efficient amplification solution.  

For detailed specifications, users should refer to the official datasheet to ensure proper integration into their designs.

MRF5S21090L MRF5S21090LR3 MRF5S21090LSR3 2170 MHz, 19 W Avg., 2 x CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs **Introduction to the MRF5S21090L RF Power Transistor**  

The MRF5S21090L is a high-performance RF power transistor designed for applications requiring robust power amplification in the UHF and L-band frequency ranges. This component is widely utilized in industrial, commercial, and military systems, including radar, communication transmitters, and RF energy applications.  

Engineered for efficiency and reliability, the MRF5S21090L operates within a frequency range of 960 MHz to 1215 MHz, delivering a typical output power of 90 watts under pulsed conditions. Its advanced gallium nitride (GaN) technology ensures high power density, thermal stability, and excellent linearity, making it suitable for demanding RF environments.  

Key features of the MRF5S21090L include high gain, low thermal resistance, and ruggedness against load mismatches, enhancing system durability. The transistor is housed in a ceramic-metal flange package, optimized for efficient heat dissipation and mechanical stability.  

Designed for ease of integration, the MRF5S21090L is compatible with standard RF circuit designs, supporting both pulsed and continuous-wave (CW) operation. Its performance characteristics make it an ideal choice for applications requiring consistent power output and long-term reliability.  

For engineers and designers working in high-power RF systems, the MRF5S21090L offers a dependable solution that balances performance, efficiency, and durability. Proper thermal management and impedance matching are recommended to maximize its operational lifespan and effectiveness in critical applications.

MRF5S21090L MRF5S21090LR3 MRF5S21090LSR3 2170 MHz, 19 W Avg., 2 x CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs # Introduction to the MRF5S21090L RF Power Transistor  

The **MRF5S21090L** is a high-performance RF power transistor designed for demanding applications in the RF and microwave frequency ranges. This component is optimized for use in industrial, scientific, and communication systems where high power, efficiency, and reliability are critical.  

Built using advanced semiconductor technology, the MRF5S21090L offers excellent power gain and efficiency, making it suitable for amplifiers in base stations, broadcast transmitters, and other high-power RF applications. It operates in the **L-band frequency range**, delivering robust performance under varying load conditions.  

Key features of the MRF5S21090L include:  
- **High power output** for demanding RF applications  
- **Excellent thermal stability**, ensuring reliable operation under high temperatures  
- **Low distortion**, making it ideal for linear amplification  
- **Sturdy packaging** designed for efficient heat dissipation  

Engineers and designers favor this transistor for its consistent performance and durability in high-power RF circuits. Whether used in pulsed or continuous-wave (CW) applications, the MRF5S21090L provides the necessary power handling and signal integrity required in modern RF systems.  

For detailed specifications, including voltage ratings, current handling, and thermal characteristics, consult the official datasheet to ensure proper integration into circuit designs. The MRF5S21090L remains a preferred choice for professionals seeking a high-reliability RF power solution.