The MRF15060S is a high-performance RF power transistor designed for demanding applications in the RF and microwave frequency ranges. This N-channel enhancement-mode lateral MOSFET is optimized for use in industrial, scientific, and medical (ISM) equipment, as well as broadcast and communication systems.  

With a robust power output capability, the MRF15060S operates efficiently in the frequency range of 1.8 MHz to 600 MHz, making it suitable for amplifiers, RF generators, and other high-power RF circuits. It features a high gain and excellent thermal stability, ensuring reliable performance in continuous-wave (CW) and pulsed applications.  

Key specifications include a typical output power of 300 W at 28 VDC, with a power gain of 16 dB under optimal conditions. The device is housed in a high-reliability ceramic-metal package, providing superior thermal dissipation and mechanical durability. Additionally, its design minimizes intermodulation distortion, making it ideal for linear amplification in critical RF systems.  

Engineers and designers favor the MRF15060S for its consistent performance, rugged construction, and ability to handle high-voltage operation. Whether used in RF heating, plasma generation, or high-power transmitters, this transistor delivers efficiency and long-term reliability in demanding environments.  

For detailed application guidelines, always refer to the manufacturer's datasheet to ensure proper circuit design and thermal management.