The MMBT5550 is a versatile NPN bipolar junction transistor (BJT) designed to deliver reliable performance in a compact SOT-23 package. Known for its high current gain and low saturation voltage, this transistor is an excellent choice for switching and amplification applications in consumer electronics, industrial systems, and communication devices.  

With a collector-emitter voltage (V_CEO) rating of 140V and a continuous collector current (I_C) of 600mA, the MMBT5550 ensures robust operation in demanding circuits. Its high current gain (h_FE) of 100 to 300 at 10mA provides efficient signal amplification, while the low saturation voltage enhances energy efficiency in switching applications.  

The transistor’s fast switching speed makes it suitable for high-frequency applications, including signal processing and driver circuits. Additionally, its small footprint allows for space-efficient PCB designs, making it ideal for compact electronic devices.  

Engineers and designers will appreciate the MMBT5550’s consistent performance across a wide temperature range, ensuring reliability in diverse operating conditions. Whether used in audio amplifiers, power management circuits, or sensor interfaces, this transistor offers precision and durability.  

For those seeking a dependable NPN transistor with high voltage tolerance and efficient amplification capabilities, the MMBT5550 stands out as a top-tier solution. Its combination of performance, compact size, and versatility makes it a preferred choice for modern electronic designs.

The MMBT5550 is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. Known for its reliability and efficiency, this compact surface-mount component is an excellent choice for engineers and hobbyists seeking a robust solution for low-power circuits.  

With a collector-emitter voltage (V_CE) rating of 140V and a continuous collector current (I_C) of 600mA, the MMBT5550 delivers stable performance in a variety of electronic designs. Its high current gain (h_FE) ensures efficient signal amplification, making it suitable for audio amplifiers, signal processing, and driver stages. Additionally, its fast switching speed allows for seamless integration into digital logic circuits and pulse-width modulation (PWM) applications.  

The transistor’s SOT-23 package offers space-saving benefits, making it ideal for compact PCB layouts. Its low saturation voltage minimizes power loss, enhancing energy efficiency in battery-operated devices. Whether used in consumer electronics, industrial controls, or automotive systems, the MMBT5550 provides consistent operation under demanding conditions.  

Engineers appreciate its compatibility with automated assembly processes, reducing manufacturing complexity. Paired with proper heat dissipation techniques, the MMBT5550 ensures long-term reliability even in high-frequency applications.  

For those seeking a dependable, high-voltage NPN transistor, the MMBT5550 stands out as a versatile and cost-effective solution. Its combination of performance, compact size, and durability makes it a preferred choice for modern electronic designs.

When precision and reliability are paramount in electronic design, the **MMBT5550** NPN transistor stands out as a dependable choice for amplification and switching applications. Known for its high current gain and low saturation voltage, this small-signal transistor is engineered to deliver consistent performance across a wide range of operating conditions.  

The MMBT5550 features a **collector current (Ic)** rating of **600mA** and a **collector-emitter voltage (Vceo)** of **140V**, making it suitable for low to medium-power circuits. Its high **current gain (hFE)** ensures efficient signal amplification, while the compact SOT-23 package allows for space-efficient PCB layouts without compromising functionality.  

Designed for versatility, the MMBT5550 excels in applications such as **audio amplification, signal processing, and load switching**. Its fast switching speed and low noise characteristics make it ideal for use in consumer electronics, industrial controls, and communication devices. Engineers appreciate its robustness in handling transient voltages, ensuring long-term stability in demanding environments.  

With industry-standard specifications and reliable performance, the MMBT5550 is a preferred component for designers seeking a balance of power efficiency and cost-effectiveness. Whether integrated into analog circuits or digital control systems, this transistor provides the precision needed for optimal circuit performance.  

For engineers and hobbyists alike, the MMBT5550 offers a practical solution for enhancing circuit efficiency without sacrificing quality. Its proven track record in diverse applications makes it a valuable addition to any component inventory.

The MMBT5550 is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. Known for its reliability and efficiency, this compact surface-mount component is widely used in consumer electronics, industrial controls, and communication systems.  

Featuring a collector-emitter voltage (V_CE) of 140V and a continuous collector current (I_C) of 600mA, the MMBT5550 delivers robust performance in medium-power circuits. Its high current gain (h_FE) ensures excellent signal amplification, making it ideal for audio stages, signal processing, and driver circuits. The transistor’s fast switching speed also makes it suitable for pulse and digital applications.  

Packaged in a small SOT-23 form factor, the MMBT5550 offers space-saving advantages without compromising performance. Its low saturation voltage minimizes power loss, enhancing energy efficiency in battery-operated devices. Additionally, the component’s thermal stability ensures consistent operation across a wide temperature range, making it a dependable choice for demanding environments.  

Engineers and designers appreciate the MMBT5550 for its versatility and ease of integration into various circuit layouts. Whether used in amplifiers, voltage regulators, or switching modules, this transistor provides a cost-effective solution without sacrificing quality.  

For those seeking a reliable, high-voltage NPN transistor with excellent amplification and switching characteristics, the MMBT5550 stands out as a top contender. Its combination of performance, compact design, and durability makes it an essential component in modern electronic designs.