MGS05N60DManufacturer: MOTOROLA Insulated Gate Bipolar Transistor | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
MGS05N60D | MOTOROLA | 49390 | In Stock |
Description and Introduction
Insulated Gate Bipolar Transistor # **Introducing the MGS05N60D: A High-Performance Power MOSFET for Demanding Applications**  
The MGS05N60D is a cutting-edge N-channel power MOSFET designed to deliver superior performance in high-voltage and high-efficiency applications. With a robust 600V drain-source voltage rating and a low on-resistance (RDS(on)), this component ensures minimal power loss, making it an ideal choice for power supplies, motor drives, and industrial automation systems.   Engineered for reliability, the MGS05N60D features fast switching characteristics, reducing switching losses and improving overall system efficiency. Its advanced planar stripe technology enhances thermal performance, allowing for better heat dissipation and prolonged operational stability even under high-load conditions.   Key benefits of the MGS05N60D include:   Whether used in switch-mode power supplies (SMPS), inverters, or lighting systems, the MGS05N60D provides a reliable and efficient solution for modern power electronics. Its compact TO-252 (DPAK) package offers ease of integration while maintaining excellent electrical and thermal characteristics.   For engineers seeking a high-performance MOSFET that balances efficiency, durability, and cost-effectiveness, the MGS05N60D stands out as a dependable choice for next-generation power designs. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips