High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications The part **MBT35200MT1** is manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5 A per MOSFET  
- **R_DS(on) (Max):** 35 mΩ at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** DFN-10 (3x3 mm)  

### **Descriptions:**  
- A dual N-channel MOSFET in a compact DFN package.  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **TrenchFET® Gen III Technology** for improved efficiency.  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for Synchronous Buck Converters.**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to ON Semiconductor's official documentation.