Schottky Barrier Rectifier The MBRP3045N is a Schottky rectifier manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (now ON Semiconductor)  
- **Part Number:** MBRP3045N  
- **Type:** Schottky Rectifier  
- **Voltage Rating (VRRM):** 45V  
- **Current Rating (IO):** 30A (average forward current)  
- **Forward Voltage (VF):** 0.65V (typical at 15A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 1.5mA (typical at 25°C, 45V)  
- **Junction Temperature (TJ):** -65°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AC (isolated tab)  

### **Descriptions:**  
- The MBRP3045N is a high-efficiency Schottky rectifier designed for low-voltage, high-frequency switching applications.  
- It features a low forward voltage drop and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

### **Features:**  
- **High Efficiency:** Low forward voltage reduces power loss.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 30A continuous current.  
- **Isolated Package:** TO-220AC package with an isolated tab for easier thermal management.  
- **High Temperature Operation:** Capable of operating up to 175°C junction temperature.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Schottky Barrier Rectifier **MBRP3045N Manufacturer: FSC**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 45A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The MBRP3045N is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching and amplification circuits.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- High current handling capacity.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.