CMOS 8M (1M x 8/512K x 16) bit The **MBM29LV800BA-12PFTN** is a flash memory device manufactured by **Fujitsu (FUJ)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Memory Size:** 8 Mbit (1M x 8-bit / 512K x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 16 KB sectors  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV800BA-12PFTN** is a **3.0V-only** flash memory device designed for high-performance embedded applications.  
- It supports both **8-bit and 16-bit** data bus configurations.  
- Features **asynchronous operation** for easy integration into various systems.  

### **Features:**  
- **Single Power Supply Operation:** 2.7V - 3.6V  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 15 mA (typical)  
  - Standby Current: 1 µA (typical)  
- **Sector Erase Capability:** Individual 16 KB sectors  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Write and erase lockout during power transitions  
  - Sector protection via programming commands  
- **Automatic Program & Erase Algorithms:**  
  - Embedded erase and program verification  
- **Compatibility:** JEDEC-standard command set  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.