2M (256K X 8/128K X 16) BIT The **MBM29LV200BC-70PFTN** is a flash memory device manufactured by **Fuji Electric**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 2 Mbit (256K x 8-bit or 128K x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 4K-byte sectors  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 20 years (minimum)  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV200BC-70PFTN** is a **2 Mbit (256K x 8/128K x 16) CMOS 3.0V-only flash memory**.  
- It supports **both 8-bit and 16-bit data bus configurations**.  
- Features a **high-speed read operation** with an access time of **70 ns**.  
- Designed for **low-power applications**, making it suitable for embedded systems.  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase.  
- **Sector Erase Capability:** Allows individual 4K-byte sectors to be erased.  
- **Hardware Data Protection:** Includes write protection via the **RP# pin** and automatic power-off protection.  
- **Command User Interface (CUI):** Supports JEDEC-standard commands for simplified programming.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: **10 mA (typical)**  
  - Standby current: **1 µA (typical)**  
- **Compatibility:** Fully backward-compatible with Fujitsu’s earlier 3V flash memory devices.  

This information is strictly based on manufacturer-provided data for the **MBM29LV200BC-70PFTN**.