Silicon epitaxial planar type The part **MA2X335** is manufactured by **PAN**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Manufacturer:** PAN  
### **Part Number:** MA2X335  

#### **Specifications:**  
- **Type:** Surface Mount Schottky Barrier Diode  
- **Configuration:** Dual Common Anode  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 30V  
- **Average Forward Current (IF):** 2A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.5V (typical at 1A)  
- **Reverse Current (IR):** 0.5mA (maximum at VR = 30V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

#### **Features:**  
- Low forward voltage drop  
- High current capability  
- Fast switching speed  
- High reliability  
- RoHS compliant  

#### **Applications:**  
- Power supply circuits  
- Reverse polarity protection  
- DC-DC converters  
- Switching circuits  

This information is based on standard PAN product documentation for the MA2X335 part. For precise details, always refer to the official datasheet.

Silicon epitaxial planar type