4 MBIT (256K X16) 3.0V ASYNCHRONOUS SRAM The **M68AW256ML70ND6** is a **256 Mbit (32M x 8-bit) NOR Flash memory** manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 256 Mbit (32M x 8-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Speed:** 70 ns access time  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Features:**  
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform 64 KB sectors  
  - Additional top/bottom boot block configurations  
- **Low Power Consumption:**  
  - Standby current: 30 µA (typical)  
  - Active read current: 25 mA (typical)  
- **Reliability & Endurance:**  
  - 100,000 erase/program cycles per sector  
  - 20-year data retention  
- **Advanced Protection Features:**  
  - Hardware and software write protection  
  - Block locking mechanism  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard pinout  
  - Supports CFI (Common Flash Interface)  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Automotive electronics  
- Industrial controls  
- Networking equipment  

This device is designed for high-performance, low-power applications requiring reliable non-volatile storage.

4 MBIT (256K X16) 3.0V ASYNCHRONOUS SRAM The **M68AW256ML70ND6** is a 256 Mbit (32M x 8) NOR Flash memory device manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Size:** 256 Mbit (32M x 8)  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 56-lead TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform 64 KB sectors  
  - Additional smaller boot sectors (top or bottom configuration)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Descriptions:**
- The **M68AW256ML70ND6** is a high-performance NOR Flash memory designed for embedded applications requiring reliable, non-volatile storage.  
- It supports **asynchronous read and write operations**, making it suitable for systems with strict timing requirements.  
- Features **hardware and software data protection** mechanisms, including block locking and password protection.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 25 mA (typical)  
  - Standby current: 20 µA (typical)  
- **Flexible Sector Erase:** Supports sector-by-sector or full-chip erase.  
- **Advanced Write Protection:**  
  - Sector lock/unlock via software commands  
  - Hardware write protection (WP# pin)  
- **Compatibility:** JEDEC-standard command set for easy integration.  
- **Reliability:** Built-in error correction and wear-leveling support.  

This device is commonly used in **automotive, industrial, and consumer electronics** applications requiring high-speed, non-volatile memory.