### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Drain Current (I_D):** 12A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.1Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability in harsh conditions.  

For detailed datasheets, refer to **STMicroelectronics' official documentation**.