### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** KSR2103  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 30V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.625W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
The **KSR2103** is a high-frequency NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is commonly used in RF and low-power circuits.  

### **Features:**  
- **High current gain (h_FE)** for efficient signal amplification.  
- **Low saturation voltage** for improved switching performance.  
- **Compact SOT-23 package** suitable for space-constrained designs.  
- **High transition frequency (f_T)** for RF and high-speed applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.