### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **KSB546-Y** is a PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. It is suitable for low-power circuits and operates efficiently within a moderate frequency range.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for surface-mount applications (SOT-23 package)  

For exact datasheet details, refer to **FAIRCHILD's official documentation**.