### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 240  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-126  

### **Descriptions and Features:**  
- High voltage capability  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications  
- Complementary NPN type available (KSC3503)  
- High current gain bandwidth product  
- Low saturation voltage  

This information is based on Fairchild's datasheet for the KSA1406CSTU transistor.