500V 600kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package The part **JANSG2N7270** is a high-reliability JAN (Joint Army-Navy) version of the **2N7270** transistor. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer:**  
- **IR (International Rectifier, now part of Infineon Technologies)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Application:** High-reliability military/aerospace applications  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
  - **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V  
  - **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Current Ratings:**  
  - **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W (at 25°C)  
- **Gain (h_FE):** Typically 40-120 (varies with conditions)  
- **Frequency Characteristics:**  
  - **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (min)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Military-Grade:** JAN-qualified for high-reliability applications.  
- **Hermetically Sealed:** Metal can package for ruggedness.  
- **Radiation-Hardened:** Designed for aerospace and defense applications.  
- **Low Leakage:** Suitable for precision circuits.  
- **High-Speed Switching:** Useful in RF and switching applications.  

### **Package:**  
- **TO-39 (Metal Can)**  

This information is based on standard JAN specifications and historical IR datasheets. For exact details, refer to the official manufacturer documentation.

500V 600kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package