55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRLZ24NS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.07Ω (at V_GS = 10V, I_D = 11A)  
  - 0.1Ω (at V_GS = 5V, I_D = 6A)  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRLZ24NS is a high-efficiency power MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low gate charge and high efficiency.  
- **Dynamic dv/dt Rating:** High performance in switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improved ruggedness.  
- **Fully Characterized:** Includes switching time, gate charge, and capacitance specifications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.