60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRLZ14 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRLZ14 is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The device is housed in a TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching Performance** for reduced switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** ensuring reliable operation in high-frequency circuits.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.