55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The **IRLR024NTRPBF** is a **N-Channel HEXFET Power MOSFET** manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 8.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 160pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 65pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The **IRLR024NTRPBF** is a **surface-mount MOSFET** in a **D-Pak (TO-252)** package, optimized for **low on-resistance and high-speed switching** in power applications. It is designed for **efficiency and reliability** in **DC-DC converters, motor control, and power management systems**.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET Technology:** Low conduction losses  
- **High Current Handling:** Suitable for power switching  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  

This MOSFET is commonly used in **battery-powered applications, automotive systems, and industrial controls** due to its **high efficiency and thermal performance**.  

(Source: International Rectifier Datasheet)