60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRLB3036PBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRLB3036PBF  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in high-energy transient conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic circuits.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses in high-frequency applications.  
- **Silicon Technology:** Uses advanced HEXFET® MOSFET technology for high performance.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.