30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL2203NS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 116A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 464A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 3.7mΩ @ V_GS = 10V, I_D = 58A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 4.5V, I_D = 42A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC @ V_DS = 15V, I_D = 58A  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1700pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 600pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The IRL2203NS is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for high-efficiency switching in DC-DC converters, motor control, and power supply circuits.  
- The device features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for high-frequency applications.  

### **Features:**
- **Advanced HEXFET Technology:** Provides low conduction losses and high efficiency.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes power dissipation in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.