30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL2203N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 116A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 464A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V, I_D = 58A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRL2203N is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for efficient switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures reliable performance in various conditions.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.