40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL1004S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRL1004S  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A (at 25°C case temperature)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C case temperature)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRL1004S is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high current handling.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures stability in various operating conditions.  
- **TO-262 Package (D²PAK):** Provides efficient thermal performance.  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet.