430V Low-Vceon Discrete IGBT in a TO-262 package The IRGSL14C40L is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 40A  
- **Maximum Collector Current (I_CM):** 80A (pulsed)  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package Type:** Module (TO-247 or similar)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Combines the advantages of MOSFET and bipolar transistor technologies.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Ensures reduced conduction losses.  
- **High Input Impedance:** Allows easy drive with low power.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances switching performance.  
- **Isolated Base Plate:** Provides electrical isolation for simplified mounting.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly construction.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon’s official documentation.

430V Low-Vceon Discrete IGBT in a TO-262 package