1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-274AA package The IRGPS60B120KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 60A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 330W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Module Configuration:** Dual IGBT with anti-parallel diode (half-bridge)  

### **Descriptions:**  
- The IRGPS60B120KD is a high-power IGBT module designed for industrial and automotive applications.  
- It features a low-loss NPT (Non-Punch Through) trench IGBT technology.  
- The module includes a built-in freewheeling diode for efficient reverse current handling.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **High Short-Circuit Withstand Time:** Enhances reliability under fault conditions.  
- **Low Switching Losses:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Isolated Baseplate:** Provides electrical isolation for easier thermal management.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly design.  

This module is commonly used in motor drives, inverters, UPS systems, and welding equipment.