1200V Copack IGBT in a TO-3P (TO-247AC) package The IRGPH50KD2 is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 50A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 312W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Switching Speed:** High-speed switching capability  
- **Package Type:** Module (isolated baseplate)  
- **Configuration:** Dual IGBT with anti-parallel diodes  

### **Descriptions:**
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for motor drives, inverters, and industrial power systems.  
- Features low conduction and switching losses.  
- Includes built-in freewheeling diodes for improved efficiency.  

### **Features:**
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Enhances efficiency.  
- **High Short-Circuit Withstand Time:** Improves reliability.  
- **Temperature Sensing:** Integrated NTC thermistor for thermal monitoring.  
- **Isolated Baseplate:** Provides electrical isolation for easier mounting.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheets, refer to Infineon’s official documentation.