**Part Number:** IRGPH20M  

**Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 600V  
- **Current Rating (Ic):** 20A  
- **Package:** TO-247AC  
- **Gate-Emitter Voltage (Vge):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce(sat)):** Typically 1.8V at 10A  
- **Switching Speed:** Fast switching with low conduction losses  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low switching losses for improved performance in motor drives, inverters, and power supplies.  
- High input impedance and low drive requirements.  
- Robust construction for reliable operation in demanding environments.  
- Suitable for industrial and automotive applications.  
- Includes built-in fast recovery diode for improved efficiency.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)