600V Discrete IGBT in a TO-3P (TO-247AC) package The IRGPC50F is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 50A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 40ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 200ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -40°C to +150°C  
- **Module Type:** Single IGBT with anti-parallel diode  

### **Description:**  
- The IRGPC50F is a high-performance IGBT module designed for power switching applications.  
- It integrates a fast-recovery anti-parallel diode for freewheeling applications.  
- Suitable for motor drives, inverters, and other high-power switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** for improved efficiency.  
- **High current capability** at elevated temperatures.  
- **Built-in diode** for simplified circuit design.  
- **Isolated baseplate** for ease of thermal management.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.