600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRGP50B60PD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 50A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85V (typical at I_C = 50A)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 18ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 200ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Features low conduction and switching losses.  
- Suitable for motor drives, inverters, and industrial power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Rugged Design:** Robust construction for reliable operation in harsh conditions.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an anti-parallel diode for freewheeling applications.  

This information is based on Infineon's datasheet and technical documentation for the IRGP50B60PD.