330V UltraFast Copack Plasma Display Panel Trench IGBT in a TO-247AC package The IRGP4085DPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 45A  
- **Power Dissipation (P_D @25°C):** 330W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.55V (typical) @ I_C = 75A  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 24ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 280ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The IRGP4085DPBF is a high-speed, low-loss IGBT designed for power switching applications.  
- It features a trench gate structure for improved efficiency and reduced conduction losses.  
- Suitable for motor drives, inverters, UPS systems, and welding equipment.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **Co-packaged Diode:** Includes an anti-parallel diode for inductive load handling.  

This IGBT is designed for industrial and automotive applications requiring high power density and reliability.